ESPECIFICACIONES:
Transistor IXTQ22N50P TO3P
Fabricante IXYS
Tipo de transistor N-MOSFET
Tensión drenaje-fuente 500V
Corriente del drenaje 22A
Poder disipado 350W
Carcasa TO3P
Resistencia en estado de transferencia 270mΩ
Carga de puerta 50nC
Standard power mosfet
Tiempo de disponibilidad 400ns
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