Transistor IGBT 600V 45A Vitroceramica 32N60 IXGR32N60CD1

ESPECIFICACIONES:

Transistor IXGR32N60CD1

Fabricante: IXYS
Transistores IGBT
Capsula ISOPLUS247-3
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.1 V
Voltaje puerta-emisor máximo: 20 V
Temperatura operativa mínima: – 55 C
Temperatura operativa máxima: 150 C
Corriente continua del colector Ic Máx.: 45 A
Corriente continua del colector: 14 A
IGBT Transistors