Transistor N-MostFet 500V 18A 235W TO220AB FDP18N50

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología UniFET™
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 500V
Corriente del drenaje 10.8A
Poder disipado 235W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±30V
Resistencia en estado de transferencia 265mΩ
Montaje THT