FQD19N10LTM Transistor N-MOSFET 100V 9,8A 50W DPAK

Transistor FQD19N10LTM DPAKFabricante
ONSEMI

Tipo de transistor
N-MOSFET

Tecnología
QFET®

Tensión drenaje-fuente
100V

Corriente del drenaje
9,8A

Poder disipado
50W

Carcasa
DPAK

Montaje SMDTensión puerta-fuente
±20V

Resistencia en estado de transferencia
0,11ΩCarga de puerta18nC