Transistor IRLR2905PBF DPACKFabricante Infineon (IRF)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Tensión drenaje-fuente 55V
Corriente del drenaje 30A
Corriente del drenaje en impulso 160A
Poder disipado 110W
Carcasa DPAK
Tensión puerta-fuente ±16V
Resistencia en estado de transferencia 27mΩ
Montaje SMD
Carga de puerta 48nC
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